檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "化學工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="鈍化"
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在矽晶太陽電池中晶片表面鈍化及抗光反射為重要的關鍵技術。本研究以原子層沉積法沉積氧化鋁薄膜於矽晶片表面上作為鈍化之使用。首先以電漿輔助原子層沉積系統及熱原子層沉積系統製備氧化鋁薄膜，研究重點為探討氧…
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異質接合太陽電池的高開路電壓特性取決於是否有良好的鈍化層，本論文研究以射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備本質氫化非晶氧化矽薄膜用於鈍化n型單晶矽基材，研究重點為探討本質氫化非晶氧化…
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本論文係以射頻電漿輔助化學氣相沉積法，來探討單晶矽異質接合的最佳化程序，包含將本質層非晶矽沉積於n型單晶矽基材，以及沉積p型與n型非晶矽摻雜層。所使用的摻雜源為毒性稀釋之三甲基硼及三丁基磷。 本實驗…
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本論文主要探討矽晶黑晶片表面抗反射結構的製作及其以原子層沉積氧化鋁作為黑晶片表面鈍化的機制。首先我們嘗試找出以水為氧源及三甲基鋁為鋁源的熱原子層沉積法合成氧化鋁膜的自我限制成長條件。結果發現，在基材…
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本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術，作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示，非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
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本論文乃以未來世代高效率矽晶太陽能電池的技術發展為議題，針對矽晶太陽能電池製作可能的矽晶異質接合，依據實驗室既有的以本質氫化非晶矽為鈍化層的矽晶異質接合太陽能電池η = 19.6 %、Voc = 6…
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本研究係以超高頻電漿輔助化學氣相沉積系統(VHF-PECVD)製備本質氫化非晶矽膜層用於鈍化單晶矽基材，研究重點之一為與射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備氫化非晶矽膜層來作比較外，…
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本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …